光电测距类传感器TURCK结构分析

光电测距类传感器TURCK结构分析

通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。

工作电压UB 10…30  VDC

纹波电压Uss ≤ 10 % UBmax

额定直流工作电流Ie ≤ 200 mA

空载电流 ≤ 25  mA

对射式－光缝：对于对射式光电传感器，在检测小的部件或进行定位时，其有效光束可能会太大以致不能进行可靠检测。

在这种情况下，可以给传感器加装光缝来减小有效光束的尺寸。

光缝会减小发射光束的尺寸：安装光缝会减小通过镜头的光的能量（光缝越小，通过的光就越少）。

例如：直径 20mm 的镜头安装上带一孔的光缝后，则通过此孔的光的能量仅为原来的(1/4) 或1/16，如果发射器和接收器都安装了光缝，则光的能量会损失双倍。

矩形光缝与同尺寸的圆孔形光缝相比，其镜头接收光的区域较大。

因此，如果被测物通过光束的方向是一定的，则优先选用矩形光缝（如边沿检测）。如果小的被测物通过光束的方向不是固定的，则优先选用圆形光缝。

在使用对射式传感器检测小物体时，一方面要有效光束的尺寸必须小于被测物的尺寸，同时要使镜头保留尽可

能大的可视区域，以足够的检测距离。

漏电流 ≤ 0.1 mA

隔离测试电压 0.5 kV

短路保护 是/循环

Ie时的压降 ≤ 1.8 V

断线/反极性保护 是/是

输出性能 3线, 常开触点, NPN

直流磁场稳定性 300 mT

交流电磁场稳定性 300 mTSS

防护等级 ÷

开关频率 1.5 kHz

把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。

图尔克接近开关 turck BI1,5-EG08K-AN6X-H1341图尔克接近开关 turck BI2U-EG08-AP6X-H1341
图尔克接近开关 turck BI2U-EGT08-AP6X-H1341图尔克接近开关 turck BI2U-EG08-RP6X-H1341
图尔克接近开关 turck BI2U-EG08-AN6X-H1341图尔克接近开关 turck BI2-EG08-AP6X-H1341
图尔克接近开关 turck BI1-EG05-AN6X图尔克接近开关 turck BI2-M12-AD4X-H1141
图尔克接近开关 turck BI4-M12E-AP6X-H1141图尔克接近开关 turck BI2-M12E-AP6X-H1141
图尔克接近开关 turck BI2-M12E-AN6X-H1141图尔克接近开关 turck BI3U-M12EE-AP6X-H1141
图尔克接近开关 turck NI5-M12-Y1X-H1141图尔克接近开关 turck NI5-EM12-Y1X-H1141
图尔克接近开关 turck NI4-M12-AP6X-H1141图尔克接近开关 turck BI4U-M12-AP6X
图尔克接近开关 turck BI4U-M12-AN6X图尔克接近开关 turck BI4-M12-AP6X
图尔克接近开关 turck BI2-G12K-AP6X图尔克接近开关 turck BI2-G12K-AN6X
图尔克接近开关 turck BI2-M12-AN6X图尔克接近开关 turck NI5-G12-Y1X
图尔克接近开关 turck BI3-G12K-AD4X图尔克接近开关 turck BI2-G12-Y1X
图尔克接近开关 turck BI2-M12-AD4X图尔克接近开关 turck BI4-M12-AN6X
图尔克接近开关 turck NI5-G12K-AP6X图尔克接近开关 turck NI5-G12K-AN6X
图尔克接近开关 turck NI4-M12-AP6X图尔克接近开关 turck NI4-M12-AN6X
图尔克接近开关 turck BI2-G12SK-Y1X图尔克接近开关 turck BI2-EG12SK-Y1X

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